DC Parametreleri
Doyum Boşaltma Akımı (IDSS): Geçit-kaynak voltajı sıfır olduğunda, ancak boşaltma-kaynak voltajı kıstırma-kapalı voltajından büyük olduğunda boşaltma akımı olarak tanımlanır.
Sıkıştırma-Voltajı (UP): UDS sabit olduğunda ID'yi çok küçük bir akıma düşürmek için gereken UGS olarak tanımlanır.
Kalkış Gerilimi (UT): UDS sabitken kimliği belirli bir değere getirmek için gereken UGS olarak tanımlanır.
AC Parametreleri
AC parametreleri iki kategoriye ayrılabilir: çıkış direnci ve düşük-frekans geçiş iletkenliği. Çıkış direnci genellikle onlarca ila yüzlerce kiloohm arasındadır, düşük-frekans geçiş iletkenliği ise genellikle birkaç onda bir ila birkaç milisievert aralığındadır ve bazıları 100 ms'ye, hatta daha yükseğe ulaşır.
Düşük-frekans geçiş iletkenliği (gm): Geçit-kaynak voltajının drenaj akımı üzerindeki kontrol etkisini açıklar.
Elektrotlar Arası-Kapasitans: Bir MOSFET'in üç elektrotu arasındaki kapasitans. Daha küçük bir değer daha iyi transistör performansını gösterir.
Sınırlayıcı Parametreler
① Maksimum drenaj akımı: Transistörün normal çalışması sırasında izin verilen drenaj akımının üst sınırı.
② Maksimum güç dağıtımı: Transistörün maksimum çalışma sıcaklığıyla sınırlanan, transistördeki güç.
③ Maksimum drenaj-kaynak voltajı: Drenaj akımı keskin bir şekilde yükselmeye başladığında çığ arızasının meydana geldiği voltaj.
④ Maksimum kapı-kaynak voltajı: Kapı ile kaynak arasındaki ters akımın keskin bir şekilde artmaya başladığı voltaj.
Yukarıdaki parametrelere ek olarak, elektrotlar arası-kapasitans ve yüksek-frekans parametreleri gibi başka parametreler de vardır.
Drenaj ve kaynak arıza voltajı: Drenaj akımı keskin bir şekilde yükseldiğinde, çığ arızası sırasında UDS (Üst Talep) meydana gelir.
Geçit arıza gerilimi: Bir bağlantı alanı-etki transistörünün (JFET) normal çalışması sırasında, kapı ile kaynak arasındaki PN bağlantısı ters-eğilimlidir. Akım çok yüksekse arıza meydana gelir.
Kullanım sırasında odaklanılması gereken ana parametreler şunlardır:
1. IDSS-Doygunluk boşaltma-kaynak akımı. Bu, geçit voltajı UGS=0. olduğunda bir kavşaktaki veya tükenme-tipi yalıtımlı-geçit alanı-etki transistöründeki boşaltma-kaynak akımını ifade eder.
2. YUKARI-Sıkma-gerilim. 3. **UT-Alma-Gerilim:** Bir kavşak-tipi veya tükenme-tipi yalıtımlı-geçit alanı-etki transistöründe (IGFET) boşaltma-kaynak bağlantısının henüz kapatıldığı geçit gerilimi.
4. gM-Geçitlilik: Geçit-kaynak gerilimi UGS'nin boşaltma akımı kimliği üzerindeki kontrol yeteneğini, yani boşaltma akımı kimliğindeki değişikliğin geçit-kaynak gerilimi UGS'deki değişime oranını temsil eder. gM, bir IGFET'in amplifikasyon kapasitesini ölçmek için önemli bir parametredir.
5. BUDS-Drenaj-Kaynak Arıza Gerilimi: Geçit-kaynak voltajı UGS sabit olduğunda IGFET'in normal çalışma altında dayanabileceği maksimum drenaj-kaynak voltajı. Bu sınırlayıcı bir parametredir; IGFET'e uygulanan çalışma voltajı BUDS'tan düşük olmalıdır.
6.PDSM-Maksimum Güç Dağılımı: Aynı zamanda sınırlayıcı bir parametre olup, IGFET'in performansını düşürmeden izin verilen maksimum -kaynak güç dağılımını ifade eder. Kullanım sırasında, IGFET'in gerçek güç tüketimi belirli bir marjla PDSM'den daha az olmalıdır. 7. **IDSM-Maksimum Boşaltma-Kaynak Akımı:** IDSM, normal çalışma sırasında bir alan etkili transistörün (FET) drenajı ile kaynağı arasında geçmesine izin verilen maksimum akımı ifade eden sınırlayıcı bir parametredir. FET'in çalışma akımı IDSM'yi geçmemelidir.
